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    PHD55N03LTA Datasheet技术文件下载

    PHD55N03LTA,118产品参数和技术文档

    PHD55N03LTA产品图

    PHD55N03LTA,118产品参考价格

    PHD55N03LTA,118产品参数

    品牌:
    NXP USA Inc.
    描述:
    MOSFET N-CH 25V 55A DPAK
    详细描述:
    表面贴装 N 沟道 25V 55A(Tc) 85W(Tc) DPAK
    制造商
    NXP USA Inc.
    系列
    TrenchMOS??
    包装
    带卷(TR)
    零件状态
    停產
    FET 类型
    N 沟道
    技术
    MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)
    25V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
    55A(Tc)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
    5V,10V
    不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
    14 毫欧 @ 25A,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
    2V @ 1mA
    不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
    20nC @ 5V
    Vgs(最大值)
    ±20V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
    950pF @ 25V
    FET 功能
    -
    功率耗散(最大值)
    85W(Tc)
    工作温度
    -55°C ~ 175°C(TJ)
    安装类型
    表面贴装
    供应商器件封装
    DPAK
    封装/外壳
    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
    标准包装
    2,500
    其它名称
    934056764118 PHD55N03LTA /T3 PHD55N03LTA /T3-ND
    型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
    •  
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    • 厂家
    • 批号
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    • 封装
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    产品索引: PM7364-BI PIC18F67J10-I/PT PCF8582C-2T/03 PC3Q67Q PM5312-SI PALCE20V8H-15JC/4 PIC16F873A-I/SS PIC16LF819-I/SO PIC24FJ16GA002-I/SS PIC16F882-I/SS

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