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    供应射频混合器HMC207AS8E

    时间:2019-7-24,阅读:44,发布企业:深圳市旺财半导体有限公司, 资讯类别:会员资讯
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    深圳市旺财半导体有限公司
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    摘要:供应射频混合器HMC207AS8E

    HMC207AS8 / 207 as8e

    v01.0112GaAs MMIC SMT双平衡混频器,0.7 - 2.0 GHz一般的描述特性功能图

    转换损耗:9 db lo / iF隔离:45 db lo / rF隔离:40 db输入iP3: +17 dbm

    电气规格,TA = +25℃,作为LO驱动的函数

    典型应用HMc207as8 / HMc207as8e是理想的:•基站•有线调制解调器•便携式无线

    该HMc207as8和HMc207as8e是微型双平衡混合器在8铅塑料表面安装小轮廓IC (SOIC)封装。该无源MMIC混频器由砷化镓肖特基二极管和新型平面变压器平衡片构成。该器件可作为上变频、下变频、双相位调制器(de)调制器或相位比较器使用。MMIC性能的一致性将改善系统运行,保证法规的符合性。45到50 dB的高损耗抑制为调制器应用提供了很好的载波抑制电气规格,TA = +25℃,作为LO驱动的函数

    典型应用HMc207as8 / HMc207as8e是理想的:•基站•有线调制解调器•便携式无线

    射频混合器HMC207AS8E该HMc207as8和HMc207as8e是微型双平衡混合器在8铅塑料表面安装小轮廓IC (SOIC)封装。该无源MMIC混频器由砷化镓肖特基二极管和新型平面变压器平衡片构成。射频混合器HMC207AS8E该器件可作为上变频、下变频、双相位调制器(de)调制器或相位比较器使用。射频混合器HMC207AS8EMMIC性能的一致性将改善系统运行,保证法规的符合性。45到50 dB的高损耗抑制为调制器应用提供了很好的载波抑制。参数如果= 70mhz,则lo = + 13dbm射频混合器HMC207AS8E

    lo = +10 dbm,如果= 70mhz,单位Min. Typ。Max。最低Typ。Max。频率范围、射频与LO 0.7 - 2.0 - 0.8 - 1.2 gHz频率范围,如果直流-直流0.3 - 0.3 10.5 - 7.5 gHz转换损失9 10分贝噪音图(单边带)9 10.5 - 7.5 10 db LO射频隔离32 40 40 45分贝LO如果隔离38 45 40 45分贝射频隔离17 23 18 22分贝iP3(输入)14 17 12 15 dbm 1分贝增益压缩(输入)8 11 7 10 dbm



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